据韩国媒体TheElec报道，韩国存储芯片大厂SK海力士已经在新晶圆厂M15X中安装首批设备，比原定计划提前了两个月。
报道称，SK海力士M15X晶圆厂原本预计于12月开始设备进场，而比原计划更早提前执行可能是为了扩大高带宽存储（HBM）产能扩张的步伐。
此前资料显示，SK海力士为兴建M15X晶圆厂投入超过20万亿韩元，该厂位于M15附近，并专注于生产1b DRAM，用作HBM3E的核心芯片。消息人士透露，M15X初期月产能为3.5万片晶圆，未来预计可扩大至5.5万至6万片。
SK海力士自去年底开始为该厂预定设备，部分韩国利川厂区的DRAM员工已调往忠州新厂，协助安装设备并进行量产准备。
M15X拥有比现有厂房更大的无尘室，因为HBM制程需要比传统DRAM更高的空间与设备容量。 消息人士表示，除了M15X外，SK海力士也正同步筹备龙仁新厂以及美国印第安纳州的先进封装厂。
值得一提的是，SK海力士上个月已宣布完成HBM4的开发，并已准备好量产。
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